Name: Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Brand: Samsung
SKU: M386A8K40DM2-CWE

Главная

Компьютерное оборудование

Комплектующие для ПК

Оперативная память

Память серверная (ECC, ECC Registered, Fully Buffered)

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Артикул:M386A8K40DM2-CWE
Код товара:626380500

rusName:[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Расширенная операционная температура (Tcase):85 °C

сайт производителя:http://www.samsung.com/

Потребление энергии:-

Линейка:Нет

Пропускная способность (МБ/с):25600

Производитель:Samsung

Вес (грамм):-

Количество модулей в комплекте (шт):1

гарантия:1 год

Все характеристики

Под заказ (запрашивайте)

23 240 ₽0 ₽

Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!

2e8d138df7d41928bd7bab1840ed9d01

Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung

rusName

[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Расширенная операционная температура (Tcase)

85 °C

сайт производителя

http://www.samsung.com/

Потребление энергии

Линейка

Нет

Пропускная способность (МБ/с)

25600

Производитель

Samsung

Вес (грамм)

Количество модулей в комплекте (шт)

гарантия

1 год

ширина(см)

Высота (мм)

Поддержка ECC

Есть

Поддержка водяного охлаждения

Нет

CAS Latency (CL)

Тип модуля

DIMM

Радиатор

Нет

Низкопрофильная

Нет

Количество контактов

288

Подсветка

Нет

Производитель

Samsung

длина(см)

описание

Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung

Row Precharge Delay (tRP)

Дополнительная информация

manufacturerCountry

КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА

Модель

M386A8K40DM2-CWE

Объем одного модуля (ГБ)

Напряжение (В)

1.2

название

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

высота(см)

0.2

RAS to CAS Delay (tRCD)

GTIN

00000000000000

gtdNumber

10005030/121022/3276015

Тайминги

Тип оборудования

Оперативная память

Поддержка Reg

Есть

Чип

Частота (MHz)

DDR3 - 3200

Общий объем памяти (ГБ)

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Нормальная операционная температура (Tcase)

75 °C

масса(кг)

0.09

Количество чипов на модуле

Габариты (мм)